9月12日、日本経済産業省は、マイクロン（Micron）の広島県東広島市にあるDRAMメモリ工場に最大5360億円（約258.69億元人民元）の補助金を提供すると発表した。

今回の補助金には、新工場建設と生産支援に約5000億円、高性能メモリ分野の研究開発プロジェクトに360億円が含まれる。マイクロンは同工場に約1.5兆円を投資する予定で、2026年初めに建設を開始し、2027年に極紫外リソグラフィ（EUV）技術を用いた次世代1 - gammaプロセスのDRAMチップの本格量産を予定している。

了解されるところによると、同工場は従来のDRAM生産のほか、人工知能や高性能コンピューティングの急速な成長需要を満たすため、高帯域幅メモリ（HBM）の生産能力建設に力を入れている。現在、広島の既存Fab15工場が初期生産とウェハプロセスを担当しており、新しい工場プロジェクトは先進的なEUV設備と高規格のクリーンルーム施設を増設することで、プロセスのアップグレードと生産能力の向上を推進する。