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これは600V、20AのIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)パワースイッチデバイスです。これはMOSFETの高入力インピーダンスとBJTの低導通損失の利点を結合しており、高効率なエネルギー変換に適しており、産業用モータ駆動、インバータ、無停電電源装置などの中高パワーのアプリケーションシーンでよく使用されます。