キオクシア(Kioxia)とサンディスク(Sandisk)はこのほど、岩手県北上工場に先進的な半導体製造工場「Fab2 (K2)」の運営を開始したと発表しました。
同社の革新的なCBA (CMOS直接結合アレイ)技術を採用した第8世代の218層3Dフラッシュメモリを製造することができ、将来の先進的な3Dフラッシュノードに対応することで、人工知能(AI)によるストレージ市場の需要の増加に対応すると述べました。ファブ2の生産能力は、市場の動向に応じて段階的に向上させ、2026年前半に量産を開始する予定です。
また、Fab2工場は衝撃吸収構造を採用し、最先端の省エネ製造設備を備えています。aiを活用して生産性を高め、省スペースな施設設計を採用したことで、クリーンルーム内の製造設備の使用スペースを拡大しました。2024年2月に承認される予定では、Fab2への投資の一部を日本政府が補助することになっています。
北上工場を運営するガイマン岩手の柴山耕一郎社長兼最高経営責任者(ceo)は「新ファブ2工場の稼働をうれしく思います。ファブ2の第8世代と後続3Dフラッシュ製品は、急浮上するai市場に新しい価値を創出するでしょう」
鎧俠と閃迪は20年以上のパートナーシップを結んでいます。2023年末、鎧俠と閃迪は共同で世界初の332層BiCS 3D NANDを発売し、1層の密度は36.4Gb/mm2に達し、インターフェースレートは4.8Gb/sを突破し、ワットあたりの記憶容量を向上させました。この技術は、次の一〇〇〇階、あるいはそれ以上の数の研究開発の基礎となりました。
2025年2月にはドイツ・デュッセルドルフで、エンタープライズSSDやハイパフォーマンスコンピューティング市場向けに、消費電力と性能を両立した次世代4.8Gb/s NANDインターフェイス技術を共同で発表しました。
2025年7月、アーマーとフラッシュは、112層BiCS5と現代CBAを組み合わせたハイブリッドアーキテクチャを採用し、Toggle 6.0インタフェースを搭載し、より高い読み書き速度とコスト効率を実現するBiCS9のサンプル出荷を開始しました。