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STW20NK50Z
Model：STW20NK50Z
Manufacturer：STMicroelectronics
Stocks：5000
Describe：
STW20NK50Zは、STMicroelectronicsが開開発したNチャネル増強型パワワーモスフェットで、SuperMESH™シリーズに属し、TO-247-3通孔封止方式を採用しています。このデバイスは高電電圧・大電力のスイッチング用途向けに設計されており、内内蔵のジンナー保護ダイオードにより高いdv/dt耐性と100％アバランスクライアブルテスト特性を備えています。
Describe：
STW20NK50Zは、STMicroelectronicsが開開発したNチャネル増強型パワワーモスフェットで、SuperMESH™シリーズに属し、TO-247-3通孔封止方式を採用しています。このデバイスは高電電圧・大電力のスイッチング用途向けに設計されており、内内蔵のジンナー保護ダイオードにより高いdv/dt耐性と100％アバランスクライアブルテスト特性を備えています。
主な性能パラメータ：漏れ源電圧500V、連続漏極電流17A（25°C時）。導通抵抗の最大値は270mΩ（Vgs=10V、Id=8.5A時）。ゲート電荷は119nC（10V時）、入力容量は2600pF（Vds=25V時）、電力消費は190W。
このデバイスはSuperMESH™技術を採用しており、導通抵抗を最適化するとともに、優れたdv/dt特性を確保し、最も厳しい用途環境にもにも対対応しています。ゲート-ソース電電圧は最大±30V、ゲートート閾閾値電電圧は最大4.5V（100µA時）です。動作温度は最高150°Cで、MSLグレードはLevel-1であり、RoHS3規格に準準拠しています。
特徴
• 製品タイプ：Nチャネルパワーモスフェット、SuperMESH™シリーズ、内蔵ジンナー保護
• 製品タイプ：Nチャネルパワーモスフェット、SuperMESH™シリーズ、内蔵ジンナー保護
• 漏電圧（Vdss）：500V
• 連続漏極電流（Id）：17A（25°C時）
• 導通抵抗（Rds(on)）：最大270mΩ @ Vgs=10V、Id=8.5A
• ゲート電荷（Qg）：119nC @ Vgs=10V
• 入力容量（Ciss）：2600pF @ Vds=25V
• 電力消費（Pd）：190W
• dv/dt能力：極めて高く、過酷な用途に適しています
• 雪崩能力：100％の雪崩テスト
• 取り付けタイプ：スルルーホール（Through Hole）
• パッケージタイプ：TO-247-3、3ピン＋ヒートシンク
• MSLレベル：レベル1
• 環境保護・コンプライアンス：RoHS3規格に準準拠
応用
• スイッチング電源（SMPS）：AC-DCコンバータ、電源アダプター
• 照明：高周波リード、LEDドライバ電源
• 産業制御：モーター駆動、インバータ
• 力率補正（PFC）：アクティブPFC回路
• 無停電電源（UPS）：インバータレベルのパワースイッチ
• 自動車電子：車載電源システム（具体的な車両規格レベルの確認が必要）