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FQB33N10TM
Model：FQB33N10TM
Manufacturer：onsemi
Stocks：15000
Describe：
FQB33N10TMは、独自の平面条状およびDMOS技術を採用したNチャネル増強型パワーモスフェットで、導通抵抗の低減、優れたスイッチング特性、および高いアバランチエネルギー強度を実現するために設計されています。
Describe：
FQB33N10TMは、独自の平面条状およびDMOS技術を採用したNチャネル増強型パワーモスフェットで、導通抵抗の低減、優れたスイッチング特性、および高いアバランチエネルギー強度を実現するために設計されています。
主要仕様：漏極源電圧（Vdss）100V、連続漏極電流（Id）33A。導通抵抗（RDS(on)）最大52mΩ（@10V、16.5A）。グレード電荷（Qg）平均値38nC、入力容量（Ciss）平均値1150pF。パワーダンス（Pd）最大127W、動作結温最高175°C。
封止およびパッケージ：D2PAK（TO-263AB）表面実装パッケージ。標準パッケージはテープ＆リール（Tape & Reel）で、1ロールあたり800個です。
特徴
• Nチャネル増強型、QFET®シリーズ
• Nチャネル増強型、QFET®シリーズ
• 100％アバランスクテスト済み
• 低グレーティング電荷および低クロスセクション面積
• 広い動作温度範囲：-55°C～+175°C
• 環境規制準拠：RoHS3規格に適合、MSLレベルはLevel-1
応用
• スイッチング電源（SMPS）
• オーディオアンプ
• 直流モーター制御
• 電源管理
• 産業用制御