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これはNチャネル増強型パワーMOSFETで、その降伏電圧は500V、連続ドレイン電流は23Aに達する。先進的なスーパージャンクション技術を採用し、低オン抵抗と低ゲート電荷特性を持ち、高周波スイッチング電源、産業用モータ駆動、太陽光発電インバータなどの高効率エネルギー変換用途に適している。