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これは4A、40VのPチャネルエンハンスメント型パワーMOSFETです。先進的なトレンチ技術を採用しており、低オン抵抗と高スイッチング速度の特性を持っています。主に負荷スイッチ、電源管理、およびバッテリー駆動機器のパワー制御に使用され、効率的なエネルギー分配と回路保護を実現できます。