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2019-07-08ルネサス エレクトロニクスは、65nmのSOTB(Silicon On Thin Buried Oxide)プロセスに混載可能なフラッシュメモリの低消費電力化技術を開発したことを発表した。...
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2019-07-08Xilinxは6月18日(米国時間)、TSMCの7nmプロセスを採用したFPGAの進化系とも言えるAdaptive Compute Acceleration Platform(ACAP)の最初の製品となる「Versal AIコア シリーズ」および「Versalプライム シリーズ」...
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2019-07-08韓SK Hynixは6月26日、128層の1TビットTLC(Triple-Level Cell)4D NANDフラッシュメモリを開発し、量産を始めたと発表した。2019年後半の出荷を予定しているという。...
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2019-07-08米国半導体工業会(Semiconductor Industry Association:SIA)は、2019年5月の世界半導体市場が前年同月比14.6%の331億ドルとなったことを発表した。4月も同14.6%減と減速が続いているが、前月比で見ると...
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2019-07-08傘下のYangtze Memory Technologies(YMTC)が重慶で64層NANDフラッシュメモリの量産を年内にも開始する方向で準備を進めている中国の国策半導体ハイテク企業である清華紫光集団は6月30日付けで、新た...